🏭 廠牌型號
Oxford / PlasmaPro 100 cobra
⚙️ 設備用途 / 功能特色
感應耦合式電漿蝕刻系統採用高能量電漿技術，實現高選擇比、精確且均勻的蝕刻。本設備適用於矽及三五族半導體材料，並支援低溫製程至 -150 °C 及原子層蝕刻 (ALE) 技術，可滿足先進奈米結構、高縱深刻蝕及異質材料整合等多樣化研究需求。
📊 技術規格
- ICP電漿源功率：最高 3000W (2MHz)
- 下電極 RF 功率：最高 300W (13.56 MHz)
- 製程氣體：BCl3、Cl2、H2、N2、Ar、SF6、O2、CH4、CHF3
- 製程溫度：-150 ℃ ~ 400 ℃
- 最大支援基板尺寸：Samples with 8 inch diameter
- 附加功能：支援ALE製程，特別適用於 GaN HEMT 應用中的凹槽蝕刻和奈米級薄膜蝕刻
🔬 應用
- III-V／化合物半導體蝕刻：如 GaAs／AlGaAs、InP 用於光通訊／資料通訊元件
- 功率／射頻元件材料蝕刻：如 GaN、SiC等
- 金屬及硬遮罩材料蝕刻：如鋁 (Al)、鈦 (Ti) 合金、金屬堆疊及其硬遮罩材料
- 絕緣體／介電材料蝕刻：如二氧化矽 (SiO₂)、氮化矽 (Si₃N₄)、石英等
- 二維材料或奈米結構開發：如石墨烯、奈米碳管等與先進元件研究
- 光電／微顯示／微感測元件：如微型 LED (µLED)、金屬透鏡、MEMS 感測器等
📍 設備位置
國立臺灣大學 水源校區 卓越研究大樓2F無塵室 蝕刻區
📞 管理人 / 預約方式
管理人：蔡家揚 博士
預約方式：請由晶片驅動–全台半導體資源共享平台預約
⚠️ 安全與使用注意事項
- 操作前須完成儀器訓練並獲得使用權限
- 使用時請遵守中心安全規範與 SOP
- 若發現異常狀況，請立即停止操作並通知管理人
- 禁止非許可金屬 (鐵、鈷、鎳、銅、金) 進入腔體
- 操作手冊