🏭 廠牌型號
AdNaNotek / JEB-3
⚙️ 設備用途 / 功能特色
超高真空電子束蒸鍍系統採線型多腔體架構(進樣腔+蒸鍍腔+氧化腔)，具金屬材料沉積及離子束蝕刻與氧化製程功能，透過高真空傳輸實現連續製程，能於奈米結構中進行高精度方向性沉積，適用高密度積體電路與量子計算元件製程。
📊 技術規格
- 製程腔體終壓：可達 10-9 torr
- 坩堝容量：25 c.c. × 4 個
- 最大支援基板尺寸：Samples with 8 inch diameter
- 樣品載入方式：Load-Lock
- 載臺控制功能：採用平面式載盤，具傾斜角度調整功能(±75°)與水冷功能
- 額外功能：
1. 膜厚即時監測與自動控制功能
2. 離子束蝕刻/清洗
3. 靜態/動態氧化製程
🔬 應用
- 約瑟夫森結製造：該機型即為「三腔體約瑟夫森結專用機」設計
- 量子元件／超導電路：適用於對接低雜質、高界面品質薄膜的製備流程
- 高精度電子束蒸鍍工藝：包括金屬接觸層、遮罩層、特殊薄膜沉積
- 微奈米結構製備：例如 MEMS、量子點、微型化感測器亦可受惠其高真空與加工整合能力
📍 設備位置
國立臺灣大學 水源校區 卓越研究大樓2F無塵室PVD區
📞 管理人 / 預約方式
管理人：江至皓 博士
預約方式：請由晶片驅動–全台半導體資源共享平台預約
⚠️ 安全與使用注意事項
- 操作前須完成儀器訓練並獲得使用權限
- 使用時請遵守中心安全規範與 SOP
- 若發現異常狀況，請立即停止操作並通知管理人
- 本設備僅提供金屬材料之沉積功能
- 不提供使用自備靶材，預約前請確認目前設備裝置之靶材，將定期替換
- 傾斜功能僅限4吋以下樣品
- 操作手冊