🏭 廠牌型號
AdNaNotek / Sputter-24
⚙️ 設備用途 / 功能特色
規劃將以氧化物薄膜為主，並禁止金屬材料沉積，以提升製程穩定性、避免交叉汙染，確保薄膜品質與材料純度，有利於多層氧化物結構與奈米元件製程之應用發展。
📊 技術規格
- 電源供應器：
1. 1 kW RF*2
2. 3 kW Pulsed DC*1
3. 5 kW HiPIMs*1
- 製程腔體終壓：可達 10-8 torr
- 基板加熱溫度：最高可達 600 °C
- 樣品載入方式：Load-Lock
- 最大基板支援尺寸：Samples with 8 inch diameter
- 額外功能：
1. 腔體具離子源可進行離子輔助鍍膜與Pre-clean處理
2. 可調式濺鍍距離設計
🔬 應用
- 半導體元件／薄膜元件製程：如氧化物薄膜沉積
- 磁性材料與自旋電子學研究：如超導結、磁隧道結構等
- 量子元件研究：基於超高真空、低雜質薄膜需求的系統
- 光電／感測器薄膜製備：需要高品質薄膜層、良好覆蓋性與控制性的場景
- 微奈米結構材料開發：如需要控制膜厚、成分、基板加工條件的研究平台
📍 設備位置
國立臺灣大學 水源校區 卓越研究大樓2F無塵室PVD區
📞 管理人 / 預約方式
管理人：江至皓 博士
預約方式：請由晶片驅動–全台半導體資源共享平台預約
⚠️ 安全與使用注意事項
- 操作前須完成儀器訓練並獲得使用權限
- 使用時請遵守中心安全規範與 SOP
- 若發現異常狀況，請立即停止操作並通知管理人
- 本設備僅提供氧化物材料之沉積功能
- 不提供使用自備靶材，預約前請確認目前設備裝置之靶材，將定期替換
- 操作手冊