🏭 廠牌型號
Oxford / PlasmaPro 100
⚙️ 設備用途 / 功能特色
本設備採用感應耦合式電漿源設計，可在低溫條件下進行高均勻性與高品質薄膜之沉積，特別適用於對溫度敏感之基材或材料，能有效滿足半導體元件製程、先進光學結構與奈米材料等應用領域之高規格製程需求。
📊 技術規格
- ICP電漿源功率：最高 3000W (2MHz)
- 下電極 RF 功率：最高 300W (13.56 MHz)
- 製程氣體：CF4、O2、Ar、N2O、NH3、SiH4、N2
- 製程溫度：機台薄膜沉積之標準製程溫度為150 ℃
- 置入晶圓最大面積：Samples with 8 inch diameter
- 主要功能：可於較低工作溫度下(<200 °C)進行高品質的薄膜沉積，對於溫度敏感的基板或材料來說具有相當大之優勢。
🔬 應用
- 研究與開發用的低溫高品質薄膜沉積，目前已建立薄膜沉積之標準製程包含非晶矽(a-Si)、二氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等材料。
- 需要高密度、低應力、均勻度佳薄膜的製程
- 適合溫度敏感基板
📍 設備位置
國立臺灣大學 水源校區 卓越研究大樓2F無塵室CVD區
📞 管理人 / 預約方式
管理人：蔡家揚 博士
預約方式：請由晶片驅動–全台半導體資源共享平台預約
⚠️ 安全與使用注意事項
- 操作前須完成儀器訓練並獲得使用權限
- 單次沉積厚度須控制在1μm以下
- 使用時請遵守中心安全規範與 SOP
- 若發現異常狀況，請立即停止操作並通知管理人
- 禁止光阻與膠帶類材料進入腔體
- 操作手冊