🏭 廠牌型號
Veeco / Savannah S200
⚙️ 設備用途 / 功能特色
本設備結合原子層沉積的精確性與加熱製程的快速性，能於具高深寬比與複雜結構之奈米元件表面沉積優異緻密性與均勻性的薄膜。系統可依實際應用需求，沉積多種材料組成，或具特殊功能如介電性、導電性等的高品質薄膜，可廣泛應用於先進製程與功能性元件開發。
📊 技術規格
Thermal ALD-1
l 製程氣體：N2
l 前驅物：TMA(Al2O3)、TDMASn(SnO2)、DEZn(ZnO) 持續規劃中
l 製程溫度：最高 350°C
l 適用基板尺寸：2"~8"/破片
Thermal ALD-2(僅供委託操作)
l 製程氣體：N2
l 前驅物：TMA(Al2O3)、TDMAHf(HfO2) 持續規劃中
l 製程溫度：最高 350°C
l 適用基板尺寸：2"~8"/破片
l 額外套件：
1. In-situ Quartz Crystal Microbalance (QCM)
2. Self-assembled Monolayers(SAMs)
🔬 應用
l 半導體元件製程之閘極介電層
l 2D材料與新興電子元件
l 光電與感測器元件
l MEMS/NEMS 製程
l 奈米科技與表面工程
📍 設備位置
國立臺灣大學 水源校區 卓越研究大樓2F無塵室CVD區
📞 管理人 / 預約方式
管理人：江至皓 博士
預約方式：請由晶片驅動–全台半導體資源共享平台預約
⚠️ 安全與使用注意事項
l 操作前須完成儀器訓練並獲得使用權限
l 使用時請遵守中心安全規範與 SOP
l 若發現異常狀況，請立即停止操作並通知管理人
l 禁止金屬、光阻與膠帶類材料進入腔體
l 沉積膜厚小於50nm
l 操作手冊