🏭 廠牌型號
Veeco / Fiji G2
⚙️ 設備用途 / 功能特色
電漿輔助原子層沉積系統透過電漿技術與獨特的自我侷限反應機制，實現高階梯覆蓋與大面積均勻性的薄膜成長，並達到奈米級至原子級的高品質薄膜沉積。本設備可用於沉積高品質的介電層(氧化物與氮化物)薄膜。此外設備具備無夾具設計，能靈活容納各種尺寸的基板，從微小破片至直徑達 200 mm 的8吋晶圓，滿足各項精密製程與研發需求。
📊 技術規格
- ICP電漿源功率：最高300W (13.56MHz)
- 製程氣體：Ar、N2、O2、H2、NH3
- 前驅物：TMA(Al2O3/AlN)、TDMAHf(HfO2/HfN)、TDMAT(TiO2/TiN) (持續增加中)
- 製程溫度：最高 350 °C
- 操作模式：
1. Continuous Mode/Exposure Mode
2. Plasma Mode/Thermal Mode
- 適用基板尺寸：2"~8"/破片
🔬 應用
- 半導體元件製程之閘極介電層
- 2D材料與新興電子元件
- 光電與感測器元件
- MEMS/NEMS 製程
- 奈米科技與表面工程
📍 設備位置
國立臺灣大學 水源校區 卓越研究大樓2F無塵室CVD區
📞 管理人 / 預約方式
管理人：蔡家揚 博士
預約方式：請由晶片驅動–全台半導體資源共享平台預約
⚠️ 安全與使用注意事項
- 操作前須完成儀器訓練並獲得使用權限
- 使用時請遵守中心安全規範與 SOP
- 若發現異常狀況，請立即停止操作並通知管理人
- 禁止金屬、光阻與膠帶類材料進入腔體
- 沉積膜厚小於50nm
- 操作手冊