🏭 廠牌型號
JEOL / JBX-8100FS
⚙️ 設備用途 / 功能特色
電子束微影系統提供超高解析度與超高可調性的精密微影技術，利用高階電子束曝光來製造奈米結構，以實現高精密度半導體積體電路元件。本設備具高精度拼接與高重疊對準之調校能力，並搭配一套鄰近效應修正軟體BEAMER，可精準製作高一致性奈米級結構，滿足尖端半導體製程與前瞻研究需求。
📊 技術規格
- 電子槍：ZrO/W Thermal Field Emitter
- 最小線寬: 8 nm
- 最小光束直徑：Φ1.8 nm
- 加速電壓：100 kV
- 電子束流範圍：0.1 nA ~ 200 nA
- 掃描速度：最高 125 MHZ
- 曝光場尺寸：
1. 高解析度模式：100 μm × 100 μm
2. 高產能模式：1,000 μm × 1,000 μm
- 曝光面積：最大 150 mm × 150 mm
- 層疊精度：
1. 高解析度模式：±9 nm
2. 高產能模式：±20 nm
- 拼接精度：
1. 高解析度模式：±9 nm
2. 高產能模式：±20 nm
- 最大基板支援尺寸：Samples with 8 inch diameter
🔬 應用
- 微奈米結構研發：如奈米線、奈米孔洞、量子元件、MEMS/NEMS結構
- 感測器、RF元件、通訊元件、小尺寸專用晶片／光源設備
- 遮罩或微型光罩製造：可直寫或快速轉譯設計
- 半導體研究機構或少量生產線：需要高精度／彈性製程的單元
📍 設備位置
國立臺灣大學 水源校區 卓越研究大樓2F無塵室 Class 100區
📞 管理人 / 預約方式
管理人：蔡家揚 博士
預約方式：請由晶片驅動–全台半導體資源共享平台預約
⚠️ 安全與使用注意事項
- 操作前須完成儀器訓練並獲得使用權限
- 使用時請遵守中心安全規範與 SOP
- 若發現異常狀況，請立即停止操作並通知管理人
- 禁止揮發性、磁性等材料進入腔體
- 操作手冊